半导体

在晶体的生长与衬度的制备，氧化工艺，外延工艺中有及化学相淀积（CVD）中，均要用到氢气。半导体工业对气体纯度的要求极高，微量杂质的“掺入”，将会改变半导体的表面活性。当硅用氯化氢生成三氯化氯SIHCI3后，经过分镏工艺分离出来，在高温下用氢还原，达到半导体需求的纯度：SIHCI3+H2----Si+3HCI 上述过程中对氢气的纯度要求很高。氢气中含在微量的一氧化碳和二氧化碳杂质会使衬底氧化，生成多晶硅。如果含有甲烷，则会生成碳化硅进入外层，引起缺陷。过去硅外延时，要求含氧量小于1*10-6，露点低于-70C，现在要求更苛刻。水电解制氢更能达到半导行业体对氢气的高要求。